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品牌：
PRX
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型号：
CD631615
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用途：
A/宽频带放大
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导电沟道：
P沟道
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导电方式：
耗尽型
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封装外形：
直插
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供应商：
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注册资本：55万元
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认证信息：
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所在地：
北京
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
瑞氟129 |
类型： |
其他 |
加工定制： |
加工定制 |
工作温度： |
138℃ |
功耗： |
220W |
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品牌： |
国际整流器/IR |
型号： |
CR7500 |
材料： |
N-FET硅N沟道 |
导电方式： |
增强型 |
导电沟道： |
N沟道 |
垂直导电结构： |
VDMOSFET |
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品牌： |
富士通/FUJI |
型号： |
520 |
材料： |
硅(Si) |
应用范围： |
达林顿 |
封装材料： |
塑料封装 |
封装形式： |
直插 |
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品牌： |
国际整流器/IR |
型号： |
PLCA-51 DV12V/24V |
所属分类： | 电力半导体器件 |
产品关键词： | |
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
520 |
类型： |
门极可关断晶闸管/GTO |
材料： |
锗(Ge) |
加工定制： |
加工定制 |
工作温度： |
410℃ |
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
520 |
类型： |
门极可关断晶闸管/GTO |
材料： |
锗(Ge) |
加工定制： |
加工定制 |
工作温度： |
410℃ |
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品牌： |
富士通/FUJI |
型号： |
200 |
材料： |
硅(Si) |
应用范围： |
达林顿 |
封装材料： |
塑料封装 |
封装形式： |
直插 |
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品牌： |
国际整流器/IR |
型号： |
6554 |
材料： |
N-FET硅N沟道 |
导电方式： |
增强型 |
导电沟道： |
N沟道 |
垂直导电结构： |
VDMOSFET |
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品牌： |
国际整流器/IR |
型号： |
545 |
材料： |
N-FET硅N沟道 |
导电方式： |
增强型 |
导电沟道： |
N沟道 |
垂直导电结构： |
VDMOSFET |
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
520 |
类型： |
门极可关断晶闸管/GTO |
材料： |
锗(Ge) |
加工定制： |
加工定制 |
工作温度： |
410℃ |
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品牌： |
英飞凌/INFINEON |
型号： |
5485 |
用途： |
CHOP/斩波、限幅 |
导电沟道： |
N沟道 |
导电方式： |
增强型 |
封装外形： |
直插 |
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品牌： |
英飞凌/INFINEON |
型号： |
FF150R12KT3G |
类型： |
IGBT模块 |
所属分类： | 电力半导体器件 |
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品牌： |
ABB |
型号： |
2545 |
类型： |
普通 |
极数： |
二级 |
频率： |
低频 |
功率特性： |
小功率 |
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
45548 |
用途： |
CHOP/斩波、限幅 |
导电沟道： |
P沟道 |
导电方式： |
增强型 |
封装外形： |
贴片 |
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品牌： |
富士通/FUJI |
型号： |
5488 |
材料： |
硅(Si) |
应用范围： |
达林顿 |
封装材料： |
塑料封装 |
封装形式： |
直插 |
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
410 |
类型： |
门极可关断晶闸管/GTO |
材料： |
锗(Ge) |
加工定制： |
加工定制 |
工作温度： |
320℃ |
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品牌： |
英飞凌/INFINEON |
型号： |
FF150R17KE4 |
用途： |
CHOP/斩波、限幅 |
导电沟道： |
其他 |
导电方式： |
增强型 |
封装外形： |
贴片 |
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品牌： |
三菱/Mitsubishi |
型号： |
520 |
类型： |
门极可关断晶闸管/GTO |
材料： |
锗(Ge) |
加工定制： |
加工定制 |
工作温度： |
410℃ |
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品牌： |
安森美/ON |
型号： |
160℃ GLN |
所属分类： | 电力半导体器件 |
产品关键词： | |
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